Physics III · Semiconductor Devices

p-n 접합 다이오드와 LED

공핍층의 변화, 순방향과 역방향 바이어스, 정류 작용, 그리고 LED의 재결합 발광을 한 화면에서 함께 탐구해 보세요.

무바이어스
공핍층이 형성된 평형 상태입니다.
접합면 근처에서 전자와 양공이 재결합하여 공핍층이 생기고, 내장 전기장이 추가 확산을 막습니다.

p-n 접합 다이오드와 LED

바이어스무바이어스
전압0.0 V
전류0.00 mA
공핍층 폭보통
p-n 접합p형(양공) + n형(전자) 접합 → 공핍층 형성
정류 작용순방향: 공핍층 감소, 역방향: 공핍층 증가
LEDΔE = hf = hc/λ
띠틈이 클수록 방출되는 빛의 파장은 짧아지고 에너지는 커집니다.