Energy Band Diagram

도체 · 반도체 · 부도체

가전자띠와 전도띠 사이의 띠틈 크기를 비교하며, 왜 도체는 전류가 잘 흐르고 반도체는 온도와 도핑에 민감한지 3D 에너지띠 블록으로 확인해 보세요.

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전체 비교
도체, 반도체, 부도체의 밴드 구조를 같은 화면에서 나란히 관찰합니다.
가전자띠
전도띠
전자
에너지띠 다이어그램이 꺼져 있습니다. 우측 GUI에서 에너지띠 다이어그램을 켜면 다시 비교할 수 있습니다.
선택 물질
전체 비교
세 가지 물질의 띠 구조를 동시에 봅니다.
띠틈
0 / 1.1 / 5.5 eV
도체는 거의 0, 반도체는 중간, 부도체는 큽니다.
온도 효과
반도체 전도성 증가
온도가 오르면 반도체는 전도띠로 올라가는 전자가 늘고, 도체는 산란이 늘어 이동성이 감소합니다.
Impurity Semiconductor

순수 · n형 · p형 반도체

규소 격자에 인(P)이나 붕소(B)를 도핑하면 띠틈 안에 도너 준위 또는 억셉터 준위가 생기고, 전자 또는 양공이 주 운반자로 바뀝니다.

반도체 종류
순수(진성)
순수 규소에서는 가전자띠가 거의 가득 차 있고 전도띠는 거의 비어 있습니다.
불순물 반도체 에너지 다이어그램
도핑에 따라 띠틈 안쪽 준위가 어디에 생기는지 확인하세요.
에너지 ↑
전도띠
가전자띠
주 운반자: 전자·양공 쌍
순수 반도체에서는 가전자띠가 거의 가득 차 있고 전도띠는 거의 비어 있습니다.
격자 구조 보기가 꺼져 있습니다. 우측 GUI에서 격자 구조를 켜면 규소 격자와 도핑 효과를 다시 볼 수 있습니다.
도핑 상태
순수(진성)
규소 원자 4개의 공유 결합으로 안정한 격자를 이룹니다.
주 운반자
전자·양공 쌍
진성 반도체에서는 열에 의해 생성된 전자와 양공이 함께 이동합니다.
전기장 상태
ON
전자와 양공 이동 방향을 화살표와 캐리어 애니메이션으로 확인할 수 있습니다.
에너지띠와 반도체
띠틈의 크기와 도핑이 전기 전도성을 어떻게 바꾸는지 연결해 보세요.
물질전체 비교
반도체 종류순수(진성)
온도300 K
띠틈도체 0 / 반도체 1.1 / 부도체 5.5 eV
주 운반자전자·양공 쌍
핵심 설명고체에서 에너지 준위가 넓어져 에너지띠를 만들며, 띠틈 크기에 따라 전기적 성질이 달라집니다.
에너지띠 도체: 띠틈 ≈ 0 → 전류 잘 흐름 반도체: Eg ≈ 1.1eV → 온도↑ 전도성↑ 부도체: Eg ≈ 5.5eV → 전류 거의 안 흐름
불순물 반도체 n형: Si에 P(5족) 도핑 → 여분 전자 p형: Si에 B(3족) 도핑 → 양공 도핑 → 전도성 크게 향상

핵심 원리

고체에서 많은 원자가 모이면 개별 에너지 준위가 넓어져 가전자띠와 전도띠 같은 에너지띠를 형성합니다. 두 띠 사이의 띠틈 크기에 따라 도체, 반도체, 부도체로 구분되며, 반도체는 온도와 도핑에 따라 전도성이 크게 달라집니다.

탐구 질문

실생활 예시

관찰 포인트

교과서 연계: 물리학 III편 p164~169 — 에너지띠, 반도체, n형 반도체, p형 반도체